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※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。
產品特色:
創見全系列DDR2記憶體模組皆遵從JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的規範，提供極致的效能表現。1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量，採用先進的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性，並運用ODT（On-Die Termination）技術可降低高速運作下記憶體信號的回授，進而提高記憶體時脈的極限值。
創見DDR2高速記憶體模組通過Intel之PMO（Platform Memory Organization）認證。PMO測試主要著重於記憶體模組在Intel平台上的相容性與穩定度，其測試結果為Intel晶片組使用者在選購上的重要參考資料。創見秉持一貫之理念，提供消費者優質的服務、高品質的產品，毫無疑問的，創見DDR2記憶體模組在Intel系統上有著極為優越的表現。
為了支援即將發表的一系列高速電腦平台，創見目前提供 533/400MHz DDR2 Registered DIMMs、Unbuffered ECC/non-ECC DIMMs 以及SO-DIMMs 等記憶體模組，供消費者選購。不論是新一代的桌上型電腦、筆記型電腦、工作站或伺服器，皆可找到相對應的創見DDR2記憶體模組。
商品規格
產品型號: TS128MQR72V4J
記憶體類型： DDR2 Memory
針腳及模組： 240Pin DIMM
頻率： DDR2-400
功能： ECC Registered Memory
容量： 1GB
顆粒： 64Mx8
電壓： 1.8 V
ＣＬ值： 3
資料來源：創見
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